Btw, NPP ''Istok'' produces TRM's for the X-band AESA and NPP ''Pulsar'' produces TRM's for the L-band AESA.
This is article from 2005 ...
...
www.electronics.ru
''Базовая структура МИС – транзистор. У нас отработан процесс изготовления полевых GaAs-транзисторов (MESFET – гетероструктурные полевые транзисторы) с шириной затвора 13,5 мм и размером кристалла 2,3 х 0,5 мм (см. рисунок). Такие приборы можно изготавливать только на нашей пилотной линии. Одна из основных проблем при создании СВЧ МИС – отвод тепла. У наших GaAs-транзисторов с толщиной подложки 100 мкм уже при температуре окружающей среды 40°С управляющий p-n-переход разогревается до критических 150°С. И лишь подложки толщиной 30 мкм позволяют работать при расширенных температурных диапазонах, соответствующих требованиям к военной технике. Однако 30-мкм подложки обладают низкими механическими свойствами, проявляющимися при скрайбировании пластины и монтаже кристаллов на теплоотвод. Для таких структур требуются специализированные установки вакуумной пайки, которые мы в ближайшее время должны приобрести.
В области гетероструктур на основе нитрида галлия специалисты "Истока" занимаются активными исследованиями на уровне экспериментов. Проводится даже специальная НИР, в которой "Исток" – головное предприятие. Но он выполняет 20% всех работ, остальные предприятия – соисполнители, в частности – Институт СВЧ- и полупроводниковой электроники РАН. Но ситуация с использованием GaN осложняется тем, что в России не производятся необходимые для работы с этим материалом подложки, прежде всего – с хорошими теплопроводящими свойствами.Мое твердое убеждение – сегодня аппаратуру для АФАР, для систем вооружения пятого поколения нужно создавать на GaAs. В течение ближайших 10 лет GaN-монолитные схемы вряд ли будут использоваться в системах вооружений. Кончено, возможны и прорывы, прогнозировать что-либо в столь новых направлениях сложно. Однако без создания СВЧ МИС на GaAs, соответствующих мировому уровню 2005 года, наша военная техника не преодолеет барьер требований к вооружениям пятого поколения. Для АФАР мы осваиваем производство СВЧ-субмодуля. В нем восемь функциональных узлов: двухкаскадные усилители приемного и передающего каналов, 6-разрядный фазовращатель, 5-разрядный аттенюатор, три промежуточных усилителя, а также драйвер – цифровая интерфейсная схема, которую должен разработать и производить "Ангстрем". Уже отработана технология двухкаскадных усилителей с выходной мощностью 10 Вт и площадью кристалла порядка 20 мм2, и мы готовы к их серийному выпуску. Общая площадь всех функциональных узлов СВЧ-субмодуля – 55 мм2.''
The basic structure of the MIS is a transistor. We have developed a process for manufacturing GaAs field-effect transistors (MESFETs – heterostructure field-effect transistors) with a gate width of 13.5 mm and a crystal size of 2.3 x 0.5 mm (see figure). Such devices can only be manufactured on our pilot line.
One of the main problems in creating microwave MMICs is heat dissipation. In our GaAs transistors with a substrate thickness of 100 µm, the control p-n junction heats up to a critical 150°C already at an ambient temperature of 40°C.
And only 30-micron-thick substrates allow operation in extended temperature ranges that meet the requirements for military equipment. However, 30-micron substrates have low mechanical properties, which manifest themselves during scribing of the plate and mounting of crystals on the heat sink.
Such structures require specialized vacuum soldering units, which we should acquire in the near future.In the field of heterostructures based on gallium nitride, Istok specialists are actively conducting research at the experimental level.
There is even special R&D work being carried out, in which Istok is the lead enterprise. But it carries out 20% of all the work, the other enterprises are co-executors, in particular, the Institute of Microwave and Semiconductor Electronics of the Russian Academy of Sciences. But the situation with the use of GaN is complicated by the fact that the substrates necessary for working with this material, primarily those with good heat-conducting properties, are not produced in Russia.
I am firmly convinced that today the equipment for AESA, for the fifth generation weapons systems should be created on GaAs. In the next 10 years, GaN monolithic circuits are unlikely to be used in weapons systems. Of course, breakthroughs are possible, but it is difficult to predict anything in such new directions.
However, without the creation of microwave MIS on GaAs, corresponding to the world level of 2005, our military equipment will not overcome the barrier of requirements for fifth-generation weapons. For AESA, we are mastering the production of microwave submodule.
For the AESA, we are mastering the production of a microwave submodule. It has eight functional units: two-stage amplifiers for the receiving and transmitting channels, a 6-bit phase shifter, a 5-bit attenuator, three intermediate amplifiers, and a driver – a digital interface circuit that Angstrem must develop and manufacture.
The technology of two-stage amplifiers with an output power of 10 W and a crystal area of about 20 mm2 has already been developed, and we are ready for their serial production. The total area of all functional units of the microwave submodule is 55 mm2.''